| Параметры |
| Производитель | NXP США Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 600 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 60 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1,6 В при 50 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 150 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 500 мВт |
| Частота – переход | 200 МГц |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-92-3 |
| Базовый номер продукта | PN29 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 60 В 600 мА 200 МГц 500 мВт сквозное отверстие ТО-92-3