| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Это | Npn |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 10 В |
| ASTOTA - PRERESHOD | 8 Гер |
| ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) | 1,3 дБ ~ 2 дБ При 1 Гер |
| Прирост | - |
| Синла - МАКС | 365 м |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 50 @ 5MA, 6V |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 100 май |
| Rraboч -yemperatura | 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT-23 (TO-236AB) |
| Baзowый nomer prodikta | PBR95 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| DOSTISHATH | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0075 |
| Станодадж | 3000 |
RF Transistor NPN 10- 100 мам 8 гг 365 м
