Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 onsemi MPSA13RLRM — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми MPSA13RLRM

MPSA13RLRM

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми MPSA13RLRM
  • Упаковка: Лента и коробка (ТБ)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8819
  • Артикул: MPSA13RLRM
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и коробка (ТБ)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора NPN – Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 В
Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 10000 при 100 мА, 5 В
Мощность - Макс. 625 мВт
Частота – переход 125 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы)
Поставщик пакета оборудования ТО-92 (ТО-226)
Базовый номер продукта MPSA13
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 2000 г.
Биполярный (BJT) транзистор NPN-Дарлингтон 30 В 500 мА 125 МГц 625 мВт Сквозное отверстие ТО-92 (ТО-226)