Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics STP50N65DM6 - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

СТМикроэлектроника СТП50Н65ДМ6

СТП50Н65ДМ6

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника СТП50Н65ДМ6
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3498
  • Артикул: СТП50Н65ДМ6
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд МДмеш™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 91 мОм при 16,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,75 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 52,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±25 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2300 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 250 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Базовый номер продукта СТП50
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
Н-канал 650 В 33 А (Тс) 250 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220