Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics STLD257N4F7AG - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

STMicroelectronics STLD257N4F7AG

ДИСКРЕТНЫЙ

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: STMicroelectronics STLD257N4F7AG
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4421
  • Артикул: СТЛД257Н4Ф7АГ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.1585

Дополнительная цена:$2.1585

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ F7
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,1 мОм при 60 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 66,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5400 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 158 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerFlat™ (5x6) двусторонний
Пакет/ключи 8-PowerWDFN
Базовый номер продукта STLD257
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 497-STLD257N4F7AG
Стандартный пакет 2500
Н-канальный 40 В, 120 А (Tc) 158 Вт (Tc) PowerFlat™ для поверхностного монтажа (5х6), двусторонний