Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics STHU32N65DM6AG - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

STMicroelectronics STHU32N65DM6AG

АВТОМОБИЛЬНЫЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ 650 В

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: STMicroelectronics STHU32N65DM6AG
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 87
  • Артикул: STHU32N65DM6AG
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $8.8800

Дополнительная цена:$8.8800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 37А (Тц)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 97 мОм при 18,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,75 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 52,6 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±25 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2211 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 320 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ХУ3ПАК
Пакет/ключи ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 497-СТХУ32Н65ДМ6АГТР
Стандартный пакет 600
N-канальный 650 В 37 А (Tc) 320 Вт (Tc) для поверхностного монтажа HU3PAK