Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics STH12N120K5-2AG - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

СТМикроэлектроника СТХ12Н120К5-2АГ

АВТОМОБИЛЬНЫЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ 1200

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника СТХ12Н120К5-2АГ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9518
  • Артикул: СТХ12Н120К5-2АГ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $12.1100

Дополнительная цена:$12.1100

Подробности

Теги

Параметры
Рассеиваемая мощность (макс.) 250 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Х2Пак-2
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта STH12
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд МДмеш™ К5
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 690 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 100 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44,2 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1370 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Н-канальный 1200 В 12 А (Tc) 250 Вт (Tc) для поверхностного монтажа H2Pak-2