Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics STH10N80K5-2AG - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

СТМикроэлектроника СТХ10Н80К5-2АГ

МОП-транзистор Н-Ч 800В 8А Х2ПАК-2

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника СТХ10Н80К5-2АГ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7684
  • Артикул: СТХ10Н80К5-2АГ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.4100

Дополнительная цена:$4.4100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 680 мОм при 4 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 100 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17,3 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 426 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 121 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Х2Пак-2
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта STH10
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 497-СТХ10Н80К5-2АГТР
Стандартный пакет 1000
Н-канальный 800 В 8 А (Tc) 121 Вт (Tc) для поверхностного монтажа H2Pak-2