Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics STF18N65DM2 - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

СТМикроэлектроника СТФ18Н65ДМ2

ДИСКРЕТНЫЙ

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника СТФ18Н65ДМ2
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4406
  • Артикул: СТФ18Н65ДМ2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,4320

Дополнительная цена:$1,4320

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 295 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±25 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 965 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 28 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220ФП
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Базовый номер продукта STF18
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 497-СТФ18Н65ДМ2
Стандартный пакет 1000
N-канал 650 В 12 А (Tc) 28 Вт (Tc) сквозное отверстие ТО-220FP