Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics STB50N65DM6 - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

СТМикроэлектроника СТБ50Н65ДМ6

МОП-транзистор Н-Ч 650В 33А Д2ПАК

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника СТБ50Н65ДМ6
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4286
  • Артикул: СТБ50Н65ДМ6
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4,5693

Дополнительная цена:$4,5693

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд МДмеш™ DM6
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 91 мОм при 16,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,75 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 52,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±25 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2300 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 250 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д²ПАК (ТО-263)
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта СТБ50
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 497-СТБ50Н65ДМ6ТР
Стандартный пакет 1000
N-канальный 650 В 33 А (Tc) 250 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D²PAK (ТО-263)