Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics STB12N60DM2AG - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

СТМикроэлектроника СТБ12Н60ДМ2АГ

ДИСКРЕТНЫЙ

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника СТБ12Н60ДМ2АГ
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 9268
  • Артикул: СТБ12Н60ДМ2АГ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,3390

Дополнительная цена:$1,3390

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 430 мОм при 5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±25 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 614 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 125 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д²ПАК (ТО-263)
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта СТБ12Н
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 497-СТБ12Н60ДМ2АГ
Стандартный пакет 1000
Н-канальный, 600 В, 10 А (Tc), 125 Вт, для поверхностного монтажа D²PAK (ТО-263)