Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics SH68N65DM6AG - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

СТМикроэлектроника Ш68Н65ДМ6АГ

АВТОМОБИЛЬНЫЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ 650 В

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника Ш68Н65ДМ6АГ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 49
  • Артикул: Ш68Н65ДМ6АГ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $35.4600

Дополнительная цена:$35.4600

Подробности

Теги

Параметры
Поставщик пакета оборудования 9-ACEPACK СМИТ
Базовый номер продукта Ш68Н65
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 497-Ш68Н65ДМ6АГТР
Стандартный пакет 200
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд ЭКОПАК®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 Н-канала (полумост)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 64А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 41 мОм при 23 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,75 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 116 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5900пФ при 100В
Мощность - Макс. 379 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 9-PowerSMD
Массив МОП-транзисторов 650 В 64 А (Tc) 379 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 9-ACEPACK SMIT