СТМикроэлектроника SCTWA90N65G2V-4

TRANS SJT N-CH 650 В 119 А HIP247

Производитель: СТМикроэлектроника
Номер производителя: СТМикроэлектроника SCTWA90N65G2V-4
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2333
Артикул: SCTWA90N65G2V-4
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $38.0100

Дополнительная цена:$38.0100

Подробности

Параметры
Производитель	СТМикроэлектроника
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	119А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	24 мОм при 50 А, 18 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	157 НК при 18 В
ВГС (Макс)	+22В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3380 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	565 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	Длинные выводы HiP247™
Пакет/ключи	ТО-247-3
Базовый номер продукта	SCTWA90
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	497-SCTWA90N65G2V-4
Стандартный пакет	30

N-канал, 650 В, 119 А (Tc) 565 Вт (Tc), длинные выводы HiP247™ со сквозными отверстиями