СТМикроэлектроника SCTWA35N65G2VAG

SICFET N-CH 650В 45А ТО247

Производитель: СТМикроэлектроника
Номер производителя: СТМикроэлектроника SCTWA35N65G2VAG
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3156
Артикул: SCTWA35N65G2VAG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	СТМикроэлектроника
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	45А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	18В, 20В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	72 мОм при 20 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,2 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	73 НК при 20 В
ВГС (Макс)	+20В, -5В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1370 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	208 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	TO-247 Длинные выводы
Пакет/ключи	ТО-247-3
Базовый номер продукта	SCTWA35
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	497-SCTWA35N65G2VAG
Стандартный пакет	600

Н-канал, 650 В, 45 А (Tc) 208 Вт (Tc), сквозное отверстие ТО-247, длинные выводы