СТМикроэлектроника SCTW60N120G2
ДИСКРЕТНЫЙ
- Производитель: СТМикроэлектроника
- Номер производителя: СТМикроэлектроника SCTW60N120G2
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация:-
- Запас: 3701
- Артикул: SCTW60N120G2
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 389 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | HiP247™ |
| Пакет/ключи | ТО-247-3 |
| Базовый номер продукта | SCTW60 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 497-SCTW60N120G2 |
| Стандартный пакет | 600 |
| Производитель | СТМикроэлектроника |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 60А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 18В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 52 мОм при 30 А, 18 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5 В при 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 94 НК при 8 В |
| ВГС (Макс) | +18В, -5В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1969 пФ при 800 В |
N-канал 1200 В, 60 А (Tc) 389 Вт (Tc) Сквозное отверстие HiP247™
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Силиконикс IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740