СТМикроэлектроника SCTW40N120G2V

СИЛОВОЙ МОП-транзистор из карбида кремния 120

Производитель: СТМикроэлектроника
Номер производителя: СТМикроэлектроника SCTW40N120G2V
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8842
Артикул: SCTW40N120G2V
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $21.6100

Дополнительная цена:$21.6100

Подробности

Параметры
Производитель	СТМикроэлектроника
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	36А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	18В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	100 мОм при 20 А, 18 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4,9 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	61 НК при 18 В
ВГС (Макс)	+22В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1233 пФ при 800 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	278 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	HiP247™
Пакет/ключи	ТО-247-3
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	497-SCTW40N120G2V
Стандартный пакет	30

N-канальный, 1200 В, 36 А (Tc) 278 Вт (Tc), сквозное отверстие HiP247™