Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics SCTW100N65G2AG - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

STMicroelectronics SCTW100N65G2AG

SCTW100N65G2AG

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: STMicroelectronics SCTW100N65G2AG
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6017
  • Артикул: SCTW100N65G2AG
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $37,7600

Дополнительная цена:$37,7600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 18В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 26 мОм при 50 А, 18 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 5 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 162 НК при 18 В
ВГС (Макс) +22В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3315 пФ при 520 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 420 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования HiP247™
Пакет/ключи ТО-247-3
Базовый номер продукта SCTW100
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 497-SCTW100N65G2AG
Стандартный пакет 30
N-канал 650 В 100 А (Tc) 420 Вт (Tc) Сквозное отверстие HiP247™