Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics SCTL90N65G2V - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

СТМикроэлектроника SCTL90N65G2V

СИЛОВОЙ МОП-транзистор из карбида кремния 650

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника SCTL90N65G2V
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3547
  • Артикул: SCTL90N65G2V
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $37.2700

Дополнительная цена:$37.2700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 18В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 24 мОм при 40 А, 18 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 157 НК при 18 В
ВГС (Макс) +22В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3380 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 935 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerFlat™ (8x8) Высокое напряжение
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 497-SCTL90N65G2VTR
Стандартный пакет 3000
N-канал 650 В 40 А (Tc) 935 Вт (Tc) PowerFlat™ для поверхностного монтажа (8x8) HV