| Параметры |
| Производитель | СТМикроэлектроника |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 40А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 18В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 24 мОм при 40 А, 18 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5 В при 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 157 НК при 18 В |
| ВГС (Макс) | +22В, -10В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3380 пФ при 400 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 935 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | PowerFlat™ (8x8) Высокое напряжение |
| Пакет/ключи | 8-PowerVDFN |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 497-SCTL90N65G2VTR |
| Стандартный пакет | 3000 |
N-канал 650 В 40 А (Tc) 935 Вт (Tc) PowerFlat™ для поверхностного монтажа (8x8) HV