СТМикроэлектроника SCTH35N65G2V-7AG

SCTH35N65G2V-7AG

Производитель: СТМикроэлектроника
Номер производителя: СТМикроэлектроника SCTH35N65G2V-7AG
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8030
Артикул: SCTH35N65G2V-7AG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $18.5800

Дополнительная цена:$18.5800

Подробности

Параметры
Производитель	СТМикроэлектроника
Ряд	Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	45А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	18В, 20В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	67 мОм при 20 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,2 В при 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	73 НК при 20 В
ВГС (Макс)	+22В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1370 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	208 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	Х2ПАК-7
Пакет/ключи	ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Базовый номер продукта	SCTH35
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1000

N-канальный 650 В 45 А (Tc) 208 Вт (Tc) для поверхностного монтажа H2PAK-7

СТМикроэлектроника SCTH35N65G2V-7AG

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ