Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics SCT10N120AG - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

СТМикроэлектроника SCT10N120AG

SCT10N120AG

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника SCT10N120AG
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3148
  • Артикул: SCT10N120AG
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $12.0100

Дополнительная цена:$12.0100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 690 мОм при 6 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 НК при 20 В
ВГС (Макс) +25В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 290 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 150 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования HiP247™
Пакет/ключи ТО-247-3
Базовый номер продукта SCT10
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 497-SCT10N120AG
Стандартный пакет 30
N-канальный 1200 В, 12 А (Tc) 150 Вт (Tc), сквозное отверстие HiP247™