Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics SCT040HU65G3AG - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

STMicroelectronics SCT040HU65G3AG

АВТОМОБИЛЬНЫЙ КАРБИД КРЕМНИЯ

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: STMicroelectronics SCT040HU65G3AG
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3778
  • Артикул: SCT040HU65G3AG
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $17.6400

Дополнительная цена:$17.6400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 15В, 18В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 55 мОм при 20 А, 18 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,2 В @ 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 39,5 НК при 18 В
ВГС (Макс) +22В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 920 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 221 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ХУ3ПАК
Пакет/ключи ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Базовый номер продукта SCT040
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 600
N-канальный 650 В 30 А (Tc) 221 Вт (Tc) для поверхностного монтажа HU3PAK