Парметр | |
---|---|
Млн | Stmicroelectronics |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Активна |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 1 гер |
Прирост | 19db |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 1 мка |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 200 май |
Питани - В.О. | 400 Вт |
Napraheneee - оинка | 110 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | B4E |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | B4E |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 497-RF5L08350CB4TR |
Станодар | 120 |