Парметр | |
---|---|
Млн | Stmicroelectronics |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | - |
ЧastoTA | 1 гер |
Прирост | 15 дБ |
В конце | 40 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 1 мка |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 100 май |
Питани - В.О. | 700 Вт |
Napraheneee - оинка | 90 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | D4E |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | D4E |
Baзowый nomer prodikta | RF4L10700 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Дрогин ИНЕНА | 497-RF4L10700CB4 |
Станодадж | 100 |