Парметр | |
---|---|
Млн | Stmicroelectronics |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | - |
ЧastoTA | 1 гер |
Прирост | 19db |
Tykuщiй rerйting (amp) | 1 мка |
Ш | - |
Питани - В.О. | 200 th |
Napraheneee - оинка | 90 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | LBB |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | LBB |
Baзowый nomer prodikta | RF3L05200 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Дрогин ИНЕНА | 497-RF3L05200CB4 |
Станодадж | 100 |