Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J511NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J511NU,LF

SSM6J511NU,ЛФ

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J511NU,LF
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 24
  • Артикул: SSM6J511NU,ЛФ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5000

Дополнительная цена:$0,5000

Подробности

Теги

Параметры
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСВИИ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 9,1 мОм при 4 А, 8 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 47 НК при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3350 пФ при 6 В
Особенность левого транзистора -
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 6-УДФНБ (2х2)
Пакет/ключи 6-WDFN Открытая площадка
Базовый номер продукта SSM6J511
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
П-канал 12 В 14 А (Та) для внешнего монтажа 6-УДФНБ (2х2)