| Параметры |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 3000 |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | У-МОСВИИ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | P-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 12 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 14А (Та) |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 9,1 мОм при 4 А, 8 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1 В @ 1 мА |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 47 НК при 4,5 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3350 пФ при 6 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 6-УДФНБ (2х2) |
| Пакет/ключи | 6-WDFN Открытая площадка |
| Базовый номер продукта | SSM6J511 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
П-канал 12 В 14 А (Та) для внешнего монтажа 6-УДФНБ (2х2)