Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichiй зastwor, privod 1,5 В |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 4 а |
Rds on (max) @ id, vgs | 33MOHM @ 4A, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 1V @ 1MA |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 3,6NC @ 4,5 |
Взёр. | 410pf @ 10 a. |
Синла - МАКС | 2W |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-udfnb (2x2) |
Baзowый nomer prodikta | SSM6N61 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 3000 |
MOSFET Array 20V 4A 2W Surface Mount 6-Udfnb (2x2)