Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FV,L3F — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FV,L3F

ССМ3ДЖ15ФВ,Л3Ф

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FV,L3F
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 55
  • Артикул: ССМ3ДЖ15ФВ,Л3Ф
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2300

Дополнительная цена:$0,2300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд π-МОСВИ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 12 Ом при 10 мА, 4 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,7 В @ 100 мкА
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9,1 пФ при 3 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 150 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ВЕСМ
Пакет/ключи СОТ-723
Базовый номер продукта SSM3J15
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 8000
P-канал 30 В 100 мА (Ta) 150 мВт (Ta) Для поверхностного монтажа VESM