Micron Technology Inc. NAND01GR3B2BZA6E

NAND01GR3B2BZA6E

Производитель: Микрон Технология Инк.
Номер производителя: Micron Technology Inc. NAND01GR3B2BZA6E
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1732 г.
Артикул: NAND01GR3B2BZA6E
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрон Технология Инк.
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Устаревший
Тип	Энергонезависимый
Формат памяти	ВСПЫШКА
Технология	ФЛЕШ-НЕ-НЕ
Размер	1Гбит
Организация	128М х 8
Интерфейс памяти	Параллельно
Время цикла записи — Word, Page	30 нс
Время доступа	30 нс
Напряжение питания	1,7 В ~ 1,95 В
Рабочая температура	-40°С ~ 85°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	63-ТФБГА
Поставщик пакета оборудования	63-ВФБГА (9х11)
Базовый номер продукта	NAND01
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	3А991Б1А
ХТСУС	8542.32.0051
Другие имена	-NAND01GR3B2BZA6E
Стандартный пакет	210

ИС флэш-памяти NAND, 1 Гбит, параллельный, 30 нс, 63-VFBGA (9x11)