Micron Technology Inc. NAND02GW3B2DN6E

NAND02GW3B2DN6E

Производитель: Микрон Технология Инк.
Номер производителя: Micron Technology Inc. NAND02GW3B2DN6E
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6658
Артикул: NAND02GW3B2DN6E
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрон Технология Инк.
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Производство постоянно в Digi-Key
Тип	Энергонезависимый
Формат памяти	ВСПЫШКА
Технология	ФЛЕШ-НЕ-НЕ
Размер	2Гбит
Организация	256М х 8
Интерфейс памяти	Параллельно
Время цикла записи — Word, Page	25нс
Время доступа	25 нс
Напряжение питания	2,7 В ~ 3,6 В
Рабочая температура	-40°С ~ 85°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм)
Поставщик пакета оборудования	48-ЦОП
Базовый номер продукта	NAND02G
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	3А991Б1А
ХТСУС	8542.32.0051
Другие имена	-NAND02GW3B2DN6E
Стандартный пакет	576

ИС флэш-памяти NAND, 2 Гбит, параллельный, 25 нс, 48-TSOP