Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF

IRFHM8363TR2PBF

Производитель: Инфинеон Технологии
Номер производителя: Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF
Упаковка: Разрезанная лента (CT)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6607
Артикул: IRFHM8363TR2PBF
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Инфинеон Технологии
Ряд	-
Упаковка	Разрезанная лента (CT)
Статус продукта	Устаревший
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	11А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	14,9 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,35 В @ 25 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	15 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1165пФ при 10 В
Мощность - Макс.	2,7 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-PowerVDFN
Поставщик пакета оборудования	8-PQFN-Двойной (3,3х3,3)
Базовый номер продукта	ИРФХМ8363
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	400

Массив МОП-транзисторов 30 В, 11 А, 2,7 Вт, для поверхностного монтажа, 8-PQFN-Dual (3,3x3,3)