онсеми NVMSD6N303R2G

НВМСД6Н303Р2Г

Производитель: онсеми
Номер производителя: онсеми NVMSD6N303R2G
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация:-
Запас: 5213
Артикул: НВМСД6Н303Р2Г
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	онсеми
Ряд	Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Устаревший
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	6А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	32 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	30 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	950 пФ при 24 В
Особенность левого транзистора	Диод Шоттки (изолированный)
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	8-СОИК
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Базовый номер продукта	НВМСД6
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	2500

Н-канал 30 В 6А (Та) для поверхностного монтажа 8-SOIC