Технология микрочипа APT34F100B2
АПТ34F100B2
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Технология микрочипа APT34F100B2
- Упаковка: Трубка
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 8213
- Артикул: АПТ34F100B2
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1135 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | Т-МАКС™ [Б2] |
| Пакет/ключи | ТО-247-3 Вариант |
| Базовый номер продукта | АПТ34Ф100 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | СИЛОВАЯ МОС 8™ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1000 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 35А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 380 мОм при 18 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5 В при 2,5 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 305 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±30 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 9835 пФ при 25 В |
N-канал 1000 В 35 А (Tc) 1135 Вт (Tc) Сквозное отверстие T-MAX™ [B2]
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Силиконикс IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740