Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 onsemi 2N5551RL1 - onsemi Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми 2N5551RL1

2N5551RL1

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми 2N5551RL1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9846
  • Артикул: 2N5551RL1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 600 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 160 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 200 мВ при 5 мА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 при 10 мА, 5 В
Мощность - Макс. 625 мВт
Частота – переход 300 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы)
Поставщик пакета оборудования ТО-92 (ТО-226)
Базовый номер продукта 2N5551
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 2000 г.
Биполярный (BJT) транзистор NPN 160 В 600 мА 300 МГц 625 мВт Сквозное отверстие ТО-92 (ТО-226)