Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 onsemi HGTG10N120BND - onsemi IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми HGTG10N120BND

ХГТГ10Н120БНД

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми HGTG10N120BND
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3369
  • Артикул: ХГТГ10Н120БНД
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3,9100

Дополнительная цена:$3,9100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ ДНЯО
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 35 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 80 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,7 В @ 15 В, 10 А
Мощность - Макс. 298 Вт
Переключение энергии 850 мкДж (вкл.), 800 мкДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 100 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 23 нс/165 нс
Условия испытаний 960В, 10А, 10Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr) 70 нс
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ТО-247-3
Базовый номер продукта ХГТГ10Н120
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
IGBT NPT 1200 В 35 А 298 Вт сквозное отверстие ТО-247-3