Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL,L1Q — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL,L1Q

ТПХ4Р10АНЛ,L1Q

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL,L1Q
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6315
  • Артикул: ТПХ4Р10АНЛ,L1Q
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6500

Дополнительная цена:$1,6500

Подробности

Теги

Параметры
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6300 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,5 Вт (Та), 67 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОП Прогресс (5х5)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта ТПХ4Р10
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСVIII-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 92А (Та), 70А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,1 мОм при 35 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 75 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
N-канал 100 В 92 А (Ta), 70 А (Tc) 2,5 Вт (Ta), 67 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-SOP Advance (5x5)