Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q

ТПН2Р805ПЛ,Л1К

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4
Артикул: ТПН2Р805ПЛ,Л1К
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9800

Дополнительная цена:$0,9800

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	У-MOSIX-H
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	45 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	139А (Та), 80А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	2,8 мОм при 40 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,4 В при 300 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	39 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3200 пФ при 22,5 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2,67 (Та), 104 Вт (Тс) Вт
Рабочая температура	175°С
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	8-ТСОН Адванс (3,1х3,1)
Пакет/ключи	8-PowerVDFN
Базовый номер продукта	ТПН2Р805
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	5000

N-канал 45 В 139 А (Ta), 80 А (Tc) 2,67 Вт (Ta), 104 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-TSON Advance (3,1х3,1)

Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ