Парметр |
Млн | ROHM Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | - |
FET FUONKSHINA | Станода |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 4.5a (TA) |
Rds on (max) @ id, vgs | 58mohm @ 4,5a, 10V, 91mohm @ 4,5a, 10V |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 h @ 1ma |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 6,7NC @ 10V, 52NC PRI 10 В |
Взёр. | 305pf @ 50v, 2100pf @ 50v |
Синла - МАКС | 2W (TA) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop |
Baзowый nomer prodikta | Sh8me5 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 2500 |
MOSFET Массив 100 В 4,5A (TA) 2W (TA) POWRхNOSTNOE