Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Rohm Semiconductor RGW50TS65GC11 - Rohm Semiconductor IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RGW50TS65GC11

IGBT TRNCH ПОЛЮС 650В 50А TO247N

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RGW50TS65GC11
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8626
  • Артикул: RGW50TS65GC11
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.7400

Дополнительная цена:$4.7400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Не для новых дизайнов
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 50 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 100 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1,9 В @ 15 В, 25 А
Мощность - Макс. 156 Вт
Переключение энергии 390 мкДж (вкл.), 430 мкДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 73 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 35 нс/102 нс
Условия испытаний 400В, 25А, 10Ом, 15В
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ТО-247Н
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 450
IGBT Trench Field Stop 650 В 50 А 156 Вт сквозное отверстие TO-247N