Ром Полупроводник RGTVX2TS65DGC11

IGBT TRENCH FLD 650В 111A TO247N

Производитель: Ром Полупроводник
Номер производителя: Ром Полупроводник RGTVX2TS65DGC11
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 526
Артикул: RGTVX2TS65DGC11
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $8.0500

Дополнительная цена:$8.0500

Подробности

Параметры
Производитель	Ром Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Не для новых дизайнов
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	111 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	240 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1,9 В @ 15 В, 60 А
Мощность - Макс.	319 Вт
Переключение энергии	2,08 мДж (вкл.), 1,15 мДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	123 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	49 нс/150 нс
Условия испытаний	400В, 60А, 10Ом, 15В
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247Н
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	30

IGBT Trench Field Stop 650 В 111 А 319 Вт сквозное отверстие TO-247N