Ром Полупроводник RGS80TSX2DGC11

IGBT ТРЕНЧ FLD 1200В 80А TO247N

Производитель: Ром Полупроводник
Номер производителя: Ром Полупроводник RGS80TSX2DGC11
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 450
Артикул: RGS80TSX2DGC11
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $11.4600

Дополнительная цена:$11.4600

Подробности

Параметры
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	120 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,1 В при 15 В, 40 А
Мощность - Макс.	555 Вт
Переключение энергии	3 мДж (вкл.), 3,1 мДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	104 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	49 нс/199 нс
Условия испытаний	600В, 40А, 10Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr)	198 нс
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247Н
Базовый номер продукта	РГС80
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	846-RGS80TSX2DGC11
Стандартный пакет	30
Производитель	Ром Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	80 А

IGBT Trench Field Stop 1200 В 80 А 555 Вт сквозное отверстие TO-247N