Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Rohm Semiconductor DTC123EMFHAT2L — Rohm Semiconductor Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник DTC123EMFHAT2L

NPN, SOT-723, R1=R2 ПОТЕНЦИАЛЬНЫЙ DI

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник DTC123EMFHAT2L
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5504
  • Артикул: DTC123EMFHAT2L
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0668

Дополнительная цена:$0,0668

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Не для новых дизайнов
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 2,2 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 2,2 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 20 @ 20 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Частота – переход 250 МГц
Мощность - Макс. 150 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-723
Поставщик пакета оборудования ВМТ3
Базовый номер продукта DTC123
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 8000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением 50 В, 100 мА, 250 МГц, 150 мВт, для внешнего монтажа VMT3