Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Rohm Semiconductor DTC115GU3HZGT106 — Rohm Semiconductor Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник DTC115GU3HZGT106

АВТОМОБИЛЬНЫЙ НПН 100МА 50В ЦИФРОВОЙ

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник DTC115GU3HZGT106
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 3
  • Артикул: DTC115GU3HZGT106
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3700

Дополнительная цена:$0,3700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Не для новых дизайнов
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база эмиттера (R2) 100 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 82 @ 5 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА (ИКБО)
Частота – переход 250 МГц
Мощность - Макс. 200 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-70, СОТ-323
Поставщик пакета оборудования УМТ3
Базовый номер продукта DTC115
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением 50 В, 100 мА, 250 МГц, 200 мВт, для поверхностного монтажа UMT3