Ром Полупроводник BSM400D12P3G002

1200В, 358А, ПОЛУМОСТ, ПОЛНЫЙ С

Производитель: Ром Полупроводник
Номер производителя: Ром Полупроводник BSM400D12P3G002
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4
Артикул: БСМ400Д12П3Г002
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Параметры
Производитель	Ром Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	2 Н-канала (полумост)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	400А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (Макс) @ Id	5,6 В при 109,2 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	17000пФ при 10В
Мощность - Макс.	1570 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	Модуль
Базовый номер продукта	БСМ400
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	846-BSM400D12P3G002
Стандартный пакет	4

Модуль Mosfet Array 1200 В (1,2 кВ), 400 А (Tc) 1570 Вт (Tc) для монтажа на шасси