| Параметры |
| Производитель | Рочестер Электроникс, ООО |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — двухпортовый, асинхронный, стандартный |
| Размер | 18 Мбит |
| Организация | 1М х 18 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 167 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 4 нс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,9 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 256-ЛБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 256-ФБГА (17х17) |
| Базовый номер продукта | CYD18S18 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | Поставщик не определен |
| ECCN | 3А991 |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Другие имена | 2156-CYD18S18V18-167BBAXI |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — двухпортовая, асинхронная, стандартная микросхема памяти, 18 Мбит, параллельная, 167 МГц, 4 нс, 256-FBGA (17x17)