Central Semiconductor Corp CTLDM303N-M832DS TR

CTLDM303N-M832DS ТР

Производитель: Центральная полупроводниковая корпорация
Номер производителя: Central Semiconductor Corp CTLDM303N-M832DS TR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3918
Артикул: CTLDM303N-M832DS ТР
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	3000
Производитель	Центральная полупроводниковая корпорация
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Устаревший
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	3,6А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	40 мОм при 1,8 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	1,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	13 НК при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	590пФ при 10 В
Мощность - Макс.	1,65 Вт
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-ТДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования	ТЛМ832ДС
Базовый номер продукта	CTLDM303N

Массивные мосфеты 30 В, 3,6 А, 1,65 Вт, для поверхностного монтажа TLM832DS