Парметр |
Млн | RerneзAs |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 17a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4 В, 10 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 5,3 мома @ 9A, 10 |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 h @ 1ma |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 26 NC @ 5 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 2600 pf @ 10 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 2W (TA) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° С |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-HSOP |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,173 дгима, шIRINA 4,40 мм). |
Дрогин ИНЕНА | 2156 UPA2700TP-E2-AZ |
Станодар | 1 |
N-kanal 30- 17A (ta) 2w (ta) powrхnostnoe