| Параметры |
| Производитель | Ренесас |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | NPN — предварительный смещенный |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 В |
| Резистор — база (R1) | 2,2 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 47 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 95 при 50 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 200 мВ при 250 мкА, 5 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Мощность - Макс. | 200 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СК-75, СОТ-416 |
| Поставщик пакета оборудования | СК-75 |
| Другие имена | 2156-КА4Ф3Р(0)-Т1-А |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 200 мВт, для поверхностного монтажа SC-75