Ренесас GA4F3M(0)-T1-A
ГА4Ф3М - ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР БИПОЛЬ
- Производитель: Ренесас
- Номер производителя: Ренесас GA4F3M(0)-T1-A
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 63
- Артикул: ГА4Ф3М(0)-Т1-А
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Ренесас |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | NPN — предварительный смещенный |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 В |
| Резистор — база (R1) | 2 ком |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 2 ком |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 50 при 50 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 200 мВ при 250 мкА, 5 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА |
| Мощность - Макс. | 150 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СК-70, СОТ-323 |
| Поставщик пакета оборудования | СК-70 |
| Базовый номер продукта | ГА4Ф3М |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | Поставщик не определен |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 2156-ГА4Ф3М(0)-Т1-А |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 150 мВт, для поверхностного монтажа SC-70