Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Renesas FA4L4L-T1B-A - Renesas Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ренесас FA4L4L-T1B-A

FA4L - ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ

  • Производитель: Ренесас
  • Номер производителя: Ренесас FA4L4L-T1B-A
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 348
  • Артикул: FA4L4L-T1B-A
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0300

Дополнительная цена:$0,0300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ренесас
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 47 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 22 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 90 при 5 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 200 мВ при 250 мкА, 5 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА
Мощность - Макс. 200 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования СК-59
Базовый номер продукта FA4L4L
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 2156-FA4L4L-T1B-А
Стандартный пакет 1
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 200 мВт, для поверхностного монтажа SC-59