Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Renesas Electronics America Inc RJK1028DNS-00#J5 - Renesas Electronics America Inc FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Renesas Electronics America Inc RJK1028DNS-00#J5

АБУ/МОП-транзистор

  • Производитель: Ренесас Электроникс Америка Инк.
  • Номер производителя: Renesas Electronics America Inc RJK1028DNS-00#J5
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2895
  • Артикул: RJK1028DNS-00#J5
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.0400

Дополнительная цена:$1.0400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ренесас Электроникс Америка Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 165 мОм при 2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3,7 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) +12В, -5В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 450 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 10 Вт (Та)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ХВСОН (3,3х3,3)
Пакет/ключи 8-PowerWDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Н-канальный 100 В 4А (Та) 10 Вт (Та) для поверхностного монтажа 8-HWSON (3,3х3,3)